实验申请书(6篇)

第1篇 实验室使用申请书

为了更好地促进组内交流和提高学习效率，按时完成国家级大学生创新科研实验项目，我们特意向学院申请使用实验室一间，希望学院予以支持。

此外，希望实验室能提供以下设备：

国家级项目《无线通信中同步传输隐藏数据的研究与应用开发》：

1．可上网电脑五台

2．数字示波器一台，信号发生器一台

3．仿真器（51单片机）

4．万用表，导线，焊锡

国家级项目《大型岩土建筑应力感应远程监测系统》：

1．可上网电脑四台

2．示波器一台

3．信号源一台

4．直流电源一台

申请人姓名：

导师签名：

2010年1月11日

第2篇 实验室建设项目申请书

实验室建设项目

武汉大学

实验室建设项目

项目名称:

项目编号:

项目所属学院:

项目所属实验室:

申请经费:

核定经费:

主 管 部 门:实验室与设备管理处

实验室建设与管理办公室

年 月 日

教学实验室建设项目经费使用说明

一、教学实验室建设项目经费主要适用范围:

1、基础课、专业基础课实验室仪器设备的更新、改造、新购;

2、基础课、专业基础课实验室自制仪器设备的研制;

3、多媒体教室、语音室设备的更新、改造、新购;

4、实验室家具(实验台、椅等)更新;

5、基础课、专业基础课实验室及教室的改扩建、环境维修;

二、学校按计划配置的本科教学实验室建设项目经费原则上不得购置复印机、手提电脑、空调、多台打印机;办公用会议台、桌椅、柜、计算机。

三、各单位接到实验室建设与管理办公室经费预算通知书后,根据实验教学大纲规定的实验项目要求,组织院内专家对即将购置的仪器设备进行论证。价格在10万元(人民币)以上的设备要填写《武汉大学大型精密贵重仪器设备论证报告书》。

四、按表格要求填写申请购置理由及设备购置清单,每台设备参考单价要经过询价后慎重报出。范文写作请不要随意改变表格形式和内容,表格不够用可以复制。

五、各实验中心(实验室)将“武汉大学实验室建设项目”填好后,请用电子邮件发往guanli@whu.edu.cn或者zqhu@whu.edu.cn邮箱。联系电话: 68772415

六、由实验室建设与管理办公室组织审核后,将审核意见返回各实验中心(实验室)。各实验中心(实验室)根据审核意见修改“项目”,按照要求请各学院负责人签意见并加盖学院公章。

七、各实验中心(实验室)将修改后的“项目” 用a4纸打印成文本,一式三份送交实验室建设与管理办公室。

第3篇 实验学校教师辞职申请书

尊敬的校长：

首先祝您身体健康，工作顺心！祝愿双语实验学校在您的管理下在未来的日子里如其名般崛起腾飞！

感谢一年来您和诸位校领导对我的`悉心栽培和备至关怀，内心无比感动。在崛起工作的一年，是我踏入深圳的第一年，无论在教学上还是在班级管理上，我都受益匪浅。感谢您给了我这样好的锻炼机会。在这一年的工作中，由于性格和工作经验等原因，给您和学校带来了不少的麻烦，在此，诚致歉意！

回想刚来深圳的时候，满怀憧憬。如今的我，依然如故。在深圳一年的教学生活中，我切实感受到了深圳教育的点点滴滴，虽辛苦却也甜蜜。回忆总是甜蜜的。下属不才，自感不能胜任于这份天下最崇高的职业，虽不得已舍弃，内心依然向往之。朗朗书声，高高学堂，永志不忘。他日如心愿已遂，还是想找一偏静之所，在学生的欢声笑语中度过余生。

现将辞职之由呈上，劳烦过阅。

我心向往自由，个性之自由，空间之自由，时间之自由，财务之自由，然学校的工作制度和教师天责与之相悖。二者权其重，目前的我选择前者。平凡若我辈，庸碌若我辈，不求名垂青史，只愿活出自我。费精劳神，历辛尽苦，有所不悔。

“富二代”的背景下，很多学生视来之不易的学习机会如弃之草芥，可有可无；对学科的轻视，对自己前途的惘然与淡漠，让我痛心。我曾力劝力导，以身说教，不见改变。面对如此学生，我无能为力，身为人师，深感自责。

鉴于此，自感对于目前教育之状态，力不能及，力不从心。不想因为一己之私，而置学校前景和学生前途于不顾。学期将尽，按照合同规定，提前一个月写出辞职申请，引咎自责，提请辞职。恳请校长批准！

申请人：

申请日期：

第4篇 实验项目申请书怎么写

(一)科研项目申报书的概念

科研项目申报书是指科技人员根据科研主管机构或课题委托机构的科研项目指南和自身的专业能力及研究条件，确定研究方向，并按照一定的格式要求撰写的关于课题研究的总体计划、安排、说明和请求的申请文书。

科研项目申请书的格式一般由科研主管机构统一制定，申请者必须严格按照统一格式编制，不得随意更改内容。

(二)科研项目申报书的作用

1.请求科研项目的主管部门或委托单位批准研究项目，并在经费、设备、人力等方面予以支持。

2.在项目批准后，作为科研计划任务书，是上级主管部门或委托单位实施科研管理，检查科研进度、经费使用和人员安排等情况的依据。

3.可作为科研人员完成科研项目的总体设计方案和课题研究的依据和指导。

4.可作为科研课题验收和鉴定的依据。

(三)科研项目申报书的格式和写法

科研项目申报书的格式是固定的，是由科研主管部门和委托单位，根据课题的性质、类型的特点而专门制定的，一般包括以下部分：

1.封面

科研课题申报书的封面主要有项目类别、课题名称、学科分类、课题负责人、申报单位和填报日期等。

2.课题及申报者的基本情况

一般包括课题名称、主题词、项目类别、学科分类、研究类型、课题负责人的基本情况(姓名、性别、民族、出生年月、行政职务、专业职务、研究专长、学历学位、工作单位、邮政编码、联系电话)、主要参加者的基本情况、预期成果、申请经费、预计完成时间等。

3.课题设计论证

(1)本课题国内外研究现状述评、本课题的研究目的及研究意义。主要介绍国内外研究概况，阐明本课题的背景，指出本课题在国内外同类研究中所处的学术地位或技术水平，说明国内外研究的发展趋势;阐明现有的技术或理论方法存在的缺点或尚待解决的关键技术或理论问题。

阐明本课题研究所要解决的问题和所要达到的目标，这不仅是课题研究的方向，也是批准课题的重要依据。

(2)本课题研究的主要内容。叙述课题研究的内容(或子课题)，包括主要观点、主要的技术环节、研究的重点难点和创新之处。这是课题研究获准的技术或理论依据，写作时采用条款方式，逐一列述。

(3)本课题研究的基本思路、主要措施和方法。阐明课题研究的总体设计思路、采取的研究方法和技术措施。

(4)本课题研究在技术、理论上的价值、创新之处和成果。阐明课题研究在技术、理论上的突破之处;阐明课题研究所能产生的经济价值、社会价值、理论价值和实际应用价值;提出科研成果的方式。技术成果主要体现为实物或有关技术指标;理论成果主要为出版的学术著作、发表的学术论文或综合性研究报告等。这是课题完成后进行验收和鉴定的标准。

(5)本课题相关的前期研究成果，主要参考资料。简要介绍课题研究者有关科研成果，以显示基础条件和研究实力。另外，将本课题研究所要涉及的各种资料列述其后。

4.课题设计论证活页

将课题设计论证部分的内容，隐去显示个人信息的内容，并另行印制成活页的形式，以便进行匿名评审，保证课题评审的公正性。

5.完成课题的条件和保证

详细介绍保证课题研究的主客观条件，如实验场地、实验设备、可供查阅文献资料、课题组成员的水平结构等情况。

6.进度安排

提出课题研究的阶段划分，各阶段预计完成的指标，各单位和课题组成员具体分工情况，各自承担的任务等。进度安排是检查课题研究进展的依据，要求写得详尽、具体、具有可操作性，在时间安排上要留有余地。

7.经费预算和经费来源

经费预算包括课题研究中所需要的材料费、设备购置费、差旅费、咨询费、会议费和管理费。经费预算要从实际需要出发，要考虑到批准的可能性，一般要在上级主管部门规定的课题经费范围之内。经费来源分国家(上级部门)拨款、自筹和委托方支付几种情况，应写明具体数额和年度分段预算。

8.项目负责人所在单位、部门审核意见

由项目负责人所在单位或部门对负责人及有关人员的科研能力、条件等进行分析评述，并表明同意申报的意见。

9.评审委员会及主管部门评审意见

由评审委员会及接受申报书的科研项目主管单位填写，内容包括：对申报项目提出的综合评价，对是否批准项目提出建议并说明有关问题。

(四)科研项目申报书的写作要求及注意事项

1.认真阅读有关部门下发的课题指南，严格按照课题指南所规定的内容和要求选择课题研究方向。

2.课题论证要突出项目研究的必要性、迫切性、学术理论的前沿性和创新性，要求内容具体、周密、完整。

3.要根据课题研究的时限要求，恰当地进行内容设计，以保证课题完成的可能性和时间的可行性。

测绘科研项目申请书范文

本项目将着重于新型量子功能材料的物性表征和新型量子功能材料的探索。主要研究方向为关联系统中的高温超导体、庞磁阻材料、石墨烯和拓扑绝缘体等材料中的电荷、轨道、自旋等自由度相互竞争、相互耦合，以及因此产生的多个量子态竞争和共存、自旋量子霍尔效应等现象。探索新型量子功能材料、发现新的量子态;对新型量子材料的物理基本性质进行研究、输运性质进行高精度测量、结合理论研究理解关联体系的物理机制;利用各种实验手段测量石墨烯和拓扑绝缘体的物理性质，研究因维数效应产生的新奇物理现象。按照项目的不同侧重点和研究手段的不同，将项目按照材料探索、物性研究、输运性质的高精度测量和低维体系四个方面展开研究：

1、新型超导材料和量子态的探索：

本课题的首要目标是探索新的高温超导材料，同时发展晶格结构和电子结构分析技术，以及超高压测量技术，分析自旋、电荷、轨道等有序现象，努力发现新的量子现象。研究内容互相补充，细分为以下几个方向：

(1) 新材料的探索与合成及单晶生长：探索新超导材料，主要从事铁基超导材料以及类似的层状、多层含有类似fe-as面的多元化合物的探索，以及包含稀土和过渡元素的其他层状多元化合物中的新材料探索;总结样品合成和成相规律，发展新方法、新工艺，寻找新现象、新效应;另外将生长高质量单晶样品以用于深入的物理研究。

(2) 晶体结构表征与研究：对发现的新材料进行晶格结构、化学成分的表征，从而促进材料的探索;研究新的结构现象，深入分析新型超导体的微结构-物理性能之间的关联，研究化学成键、电子能带结构，研究高/低温结构相变等，研究晶格中缺陷、畸变对超导的影响。

(3) 超高压下的量子效应研究：研发一套超高压低温测量系统(100gpa，1.5k)，在此基础上研究超高压下铁基材料以及其他新材料中可能出现的新奇量子现象、超高压对超导转变的影响、高压高场下材料的物性和相图，探索高压下可能出现的新量子态和新奇量子现象。

(4) 中子散射研究：研究铜氧化物和铁基高温超导材料以及其他新材料的晶格精细结构，电子自旋、电荷、轨道有序结构，研究超导材料及其母体中的自旋激发、自旋涨落的形成、演变及其和超导的关系，研究材料中形成的新的量子态和量子现象。

2、关联体系量子功能材料的物性研究：

利用谱学的方法研究新型量子功能材料的电子结构，主要包括arpes，stm和自旋极化的stm(sp-stm)，以及红外光谱的方法研究关联系统(以高温超导体和庞磁阻材料为主)的电子结构，争取在高温超导和庞磁阻材料的机理研究中有重大突破。具体到各种谱学实验方法和强关联体系中的问题，细分为：

(1) 以高精度角分辨光电子能谱为手段，深入研究以高温超导体(包括铜氧超导体和铁基超导体)为主的多种新奇超导体材料。本项目将结合我们在高温超导材料和角分辨光电子能谱上的优势，对高温超导体进行深入系统的研究，重点研究超导态对称性、赝能隙、电子与其它集体激发模式耦合等现象。

(2) 锰氧化物体系，特别是三维钙钛矿结构锰氧化物薄膜的电子结构，我们将在不同晶格参数的衬底上生长具有不同组分和厚度的高品质外延锰氧化物薄膜，用 arpes原位测量体系的电子结构。总结锰氧化物体系电子结构随组分、应力和温度的变化规律，研究电子-电子及电子-波色子相互作用对电子行为的影响，揭示电子结构和宏观物理特性之间的联系。从电子结构的角度出发试图阐明锰氧化物体系庞磁阻、相分离、电荷轨道有序等异常物理性质的内在机理。

(3) 利用stm特有的原子级空间分辨率，局域态密度能谱，能量分辨谱图，及原子操纵功能。通过高分辨率的空间扫描成像，定位表面相关原子层结构，特别是掺杂原子的位置。研究掺杂原子对表面原子层结构的调制。 通过局域态密度能谱，研究库珀电子对的激发态(超导能隙)与赝能隙(pseudogap)的关系。通过分析能量分辨谱图，研究超导序的`二维结构及其演变规律。通过改变温度，调整掺杂浓度，及外加磁场，我们可以直观地观察超导序表面二维结构的变化。

(4) 发展sp-stm技术研究高温超导材料中电子自旋结构。这个新型的sp-stm将能提供原子级空间分辨率和自旋极化分辨的谱图图像。利用这一工具，我们将着重研究在反铁磁与超导共存的高温超导体中的反铁磁自旋结构，超导磁通蜗旋中反铁磁核心的存在早已由so(5)理论预测，此结果将验证so(5)理论预测的结果。另外，我们将利用这一工具研究表面吸附的磁性原子对局域态密度能谱的影响及其与超导电子对的相互作用。

(5) 建设强磁场下的红外反射谱测量系统，研究磁场下高温铜氧化物超导体和铁基超导体的准粒子激发行为。重点研究铜氧超导体和铁基超导体中电子与集体激发-声子激发/自旋激发模式的耦合问题。我们将用光学响应或光电导谱对材料的电子结构，传导载流子的动力学性质等重要信息进行分析，研究超导配对引起的能隙特征，揭示电子是与何种集体模式存在较强的耦合等基本信息。

(6) 利用高压多重合成条件获得结构简单和性质独特的高质量的铜基和铁基高温超导体及巡游磁性体系单晶，探寻关联体系金属化过程的量子序及其调控机制。在我们成功的高温高压合成以上具有特点的多晶材料的基础上，进一步优化压力、温度和组分等极端合成条件，研制和研究在结构简单的、高质量的含卤素的 sr2cuo2+δcl2-x高温超导体单晶和可能的巡游型baruo3单晶，以及“111”型铁基超导体单晶体;运用多种能谱学、磁性、显微学等物理条件的综合表征体系，研究揭示这些体系的量子有序规律。

(7) 利用我们发展的新的理论和计算方法，结合实验组的研究进展对多种过渡金属氧化物及其奇异物性进行定量的研究。一方面，为各种实验现象及其物理本质提供理论解释，另一方面，计算模拟并预测一些新型的量子有序现象，包括金属-绝缘体相变，轨道选择性的mott转变，轨道有序态，berry相等等。主要研究内容包括自旋与轨道自由度相关的量子现象计算研究; 受限强关联电子系统中的量子现象计算研究。

3、量子材料输运性质的高精度测量

(1) 首先我们将致力于自行研制加工一套较完备的电学、热学和磁学测量装置，其中包括热导率、热电势、能斯特效应、微晶比热和微杠杆磁强计等较独特的手段。这些装置将可以工作在低温、高真空、强磁场的极端物理条件下，测量结果的精度具有国际领先水平。将完善一套低温比热测量装置，获得比一般商业手段高出一个量级的测量精度。建造一套转角度的比热测量系统。研究非常规超导体的低能激发和配对对称性。完善小hall探头系统和磁场极慢扫描的振动样品磁强计，精密测量磁场穿透行为，确定下临界磁场和超流密度随温度的变化关系。

(2) 我们将对高温超导体、铁基超导体和钠钴氧体系进行深入的实验研究。这三个体系的共性是由于电子强关联作用，电荷与自旋自由度有分离的倾向，然而相互之间又存在着精微的相互作用，从而导致高温超导、超导与磁性紧邻甚至共存、居里-外斯金属等奇妙的物理现象。如何理解电荷与自旋自由度的关系是强关联物理的核心理论问题之一。我们可以通过选取特定的研究手段而选择性地分别探测电荷与自旋元激发，也可以同时研究二者之间的相互作用。将这些不同的手段结合起来将可以对关联体系中电荷与自旋的行为提供一个较完整的图像。我们关注的主要问题包括磁性与超导的相互关系、电荷与自旋有序态的形成机制、自旋自由度对电荷输运和熵输运的影响，等等。

(3) 电荷与自旋的相互作用也是很多功能性关联材料在器件应用方面的物理基础，例如钠钴氧体系中自旋熵对热电效应的贡献、多铁材料中外加电场对自旋取向的控制、锰氧化物中外加磁场对电阻的巨大影响，等等。在对电荷自旋相互作用基本原理的理解基础上，我们还将探索它们在功能性器件应用方面，特别是超导效应、热电效应、磁阻效应等在能源和信息领域的新思路、新途径。

(4) 充分利用化学掺杂和结构修饰进行新量子材料体系的探索工作。采用合适的化学合成方法以及良好的合成设备，获得高质量的合乎要求的样品。采用x射线衍射、电子显微镜等常规实验手段对样品进行结构表征。必要时，通过同步辐射、中子衍射等大型研究设施对系统的结构作更细致的测量。对高质量样品进行各种精密的物理性质测量。包括电阻、磁电阻、霍尔效应、热电效应、能斯特效应、磁化强度、比热、热导、光学性质以及核磁共振和穆斯鲍尔谱等。归纳、总结系统的物理规律特性与电子相图。

(5) 在新型铁基超导体系方面，我们将以元素替代作为主要探针，研究铁基超导体的超导机理。理论上拟以cefeaso1-xfx 、cefeas1-x pxo等材料为代表，发展从磁性“坏金属”或“近莫特绝缘体”到重费米子液体过渡的理论框架，用平均场等方法、结合数值计算来研究这一理论，并以此来解释铁基超导材料在输运性质、磁学性质等方面表现出来的多样性和复杂性，探索这类体系中可能出现的奇特量子相变和相应的量子临界性。

(6) 在铜氧化物高温超导方面，结合前述精确实验测量，我们将以掺杂莫特绝缘体模型为出发点，研究赝能隙区可能存在的隐藏的量子序、量子序和超导态的竞争和共存、费米面的重组、以及到费米液体区的量子相变。希望由此理解超导相图中在最佳掺杂区附近可能出现的量子临界点以及相联系的一系列反常输运和磁学性质;在重费米合金方面，我们拟以cecu2(si1-xgex)2等材料为代表，具体考察关联杂化项对量子临界点产生的影响，研究由于可能由于压力效应引起的f 轨道价态杂变化，以及两个近邻的量子相变，确定相应的电阻标度行为和量子临界性。

4、低维量子体系和量子态的研究：

(1) 探索制备高质量的石墨烯单晶的方法，研究生长条件对单层石墨烯结构的影响，探索重复性好、效率高、成本低、易控制的制备技术。表征单层石墨烯长程有序度。 通过变温、低温stm/sts，深入研究石墨烯体系的本征电子结构以及缺陷、掺杂对电子结构的调制。生长高质量拓扑绝缘体单晶，研究它们的基本性质。

(2) 探索和生长高质量的拓扑绝缘体材料，拓扑绝缘体大部分是合金材料，需要优化目前晶体生长工艺。 争取准备组分分布均匀，形状规整的大尺寸二元固溶体多晶锭料。

(3) 利用stm和扫描隧道谱(sts)表征，研究膜石墨烯的几何结构和本征电子结构。测量石墨烯膜的扶手椅型边缘和锯齿型边缘的局域电、磁性质。将充分发挥变温stm的优势，研究单个分子以及多个分子在石墨烯表面可能的奇异动力学行为或几何结构，物化特征。

(4) 利用stm研究在拓扑绝缘体的金属表面态;通过表面沉积非磁性杂质研究狄拉克费米子和杂质的相互作用，无磁性中性杂质对于拓扑绝缘体表面狄拉克费米子的散射，为输运性质的研究提供基础,检验和理解前人有效理论预言的拓扑磁电效应。 利用自旋分辨的stm技术，观察杂质在实空间诱导的自旋texture。在表面沉积磁性杂质，研究体内磁性杂质所造成的时间反演破缺对于边界态的影响。 尤其在带有内部自由度的杂质的研究中，着重研究在拓扑绝缘体背景下两个杂质的内部自由度相互间的量子关联， 这对于量子信息处理将可能有重要的潜在价值。

(5) 利用角分辨光电子谱测量石墨烯的电子结构，包括石墨烯的色散关系，电子-声子相互作用，电子-激子相互作用，能隙的大小等，以及这些参数随石墨烯层数、石墨烯与衬底相互作用导致的电子结构的变化。利用arpes研究拓扑绝缘体的表面态，确定能级色散关系，狄拉克点的数目，判定系统是否是强的拓扑绝缘体。利用自旋分辨的arpes和不同偏振模式的光源分辨电子不同自旋分支的色散关系，测量电子自旋的极化特性。

(6) 利用核磁共振技术(nmr)研究研究三维拓扑绝缘体的磁性质，从磁性质上找到拓扑绝缘相变的证据。使用高压和掺杂技术调节三维拓扑绝缘体量子相变，进一步研究其在量子相变点的特性。 改进nmr系统，提高核磁共振的灵敏性,从而可以对拓扑绝缘体的表面态进行研究。 研究表面的磁激发谱及其金属态的特性，从而得到表面态在微波波段的磁性质，并进一步与块材绝缘态的性质进行对比。

(7) 利用第一原理计算方法(gw)、考虑电子在石墨烯的自能相互作用和电子-空穴相互作用(gw-bse 方法)，解决在外加电场下双层石墨烯的电子结构，双层石墨烯的光学性质对外加电场的依赖关系。 以更加直观的物理语言澄清低能有效理论所包含的物理实质。

(8) 理论研究拓扑绝缘体体内掺杂后的物理性质以及表面态物理性质。 着重研究体系的输运和光学性质，探讨自旋轨道耦合以及拓扑效应在其中扮演的角色。理论研究表明拓扑绝缘体的体内和边界上支持分数化激发的存在，我们拟从理论上进一步解释在扑绝缘体上出现分数化激发的惊奇现象。 研究拓扑绝缘体内部以及边界上的量子关联和量子纠缠， 理解和直观地刻画这种量子关联对于拓扑序的研究以及应用。

第5篇 实验室技术员转正申请书

实验室技术员转正申请书范例

尊敬的领导：

我于20xx年xx月xx日成为公司的试用员工，到今天3个月试用期已满，根据公司的规章制度，现申请转为公司正式员工。从来公司的第一天开始，我就把自己融入到我们的这个团队中，现将这三个月的工作情况总结如下：

一、非常注意的向朱博士、杨组长和周围的同事学习，在工作中处处留意，多看，多思考，多学习，以较快的速度熟悉着实验室的`情况和实验室的各项操作，较好的融入到了我们的这个团队中。

二、对工作认真负责，任劳任怨，与同事配合默契，平时刻苦钻研，不断创新，能够在规定时间内出色的完成实验任务，保证实验项目的进度，做到让领导、自己都满意。

三、协助领导带新员工，虽然我自己还是一个来公司不久的尚在试用期的新员工，但在12月份，还是积极主动的协助领导带新人，将自己知道的和在工作中应该着重注意的问题都教给**。

总之，经过三个月的试用期，我认为我能够积极、主动、熟练的完成自己的工作，在工作中能够发现问题，并积极全面的配合公司的要求来展开工作，与同事能够很好的配合和协调。在以后的工作中我会一如继往，对人：与人为善，对工作：认真细致，力求完美，不断的提升自己的实验操作水平及综合素质，以期为公司的发展尽自己的一份力量。在此我提出转正申请，恳请领导给我继续锻炼自己、实现理想的机会。我会用谦虚的态度和饱满的热情做好我的本职工作，为公司创造价值，同公司一起展望美好的未来!

申请人：xxx

第6篇 实验室用房申请书示范

实验室用房申请书示范

实验室用房申请书一：

为了更好地促进组内交流和提高学习效率，按时完成国家级大学生创新科研实验项目，我们特意向学院申请使用实验室一间，希望学院予以支持。

此外，希望实验室能提供以下设备：

国家级项目《无线通信中同步传输隐藏数据的研究与应用开发》：

1.可上网电脑五台

2.数字示波器一台，信号发生器一台

3.仿真器(51单片机)

4.万用表，导线，焊锡

国家级项目《大型岩土建筑应力感应远程监测系统》：

1.可上网电脑四台

2.示波器一台

3.信号源一台

4.直流电源一台

申请人姓名：

导师签名：

20xx年1月11日

实验室用房申请书二：

尊敬的团委老师：

你好!

我是电子科技协会的副会长胡文静。在此特别的感谢您们对协会工作的支持和肯定，电子科技协会是一个电子通信计算机于一体的协会。着重与培养电子方面的专业人才，培养其动手能力和创新思维。自协会成立来，为爱好电子专业培养了一批有一批专业基础比较扎实的学生。协会定期会开展专业电子基础知识的培训和开课，教学生一些操作，例如：焊接、电子组装、调试、电子小创作等……。协会不仅教学生一些专业知识，还要教学生一些生活中常用家电维修技能，例如：饮水机、电磁炉、电视、电饭锅、电风扇、吹风机、mp3、mp4等……。让学生理论与实践结合，达到学以致用的效果。协会每次举办电子设计大赛都是重视学生的创新和动手能力，为学院参加全国大赛提供专业人才。

但是肩负如此重担子的电子科技协会至今仍然没有属于协会单独的实验室，每次上实践课搞活动都要申请教室，这影响了活动的顺利的开展，所以特向院领导申请宿舍8栋2楼的活动室作为以后电子科技协会单独的实验室。

申请实验室的原因：

1，由于协会办公室是由电子科技协会、计算机协会、通信协会三个协会共用，人员数量多其环境比较吵闹，协会的工具器材、元件和制作的电子小创作不方便摆放在室内作为展览，只能放在柜子里。

2，若我们在办公室对干事会员进行授课及进行实践操作时，旁边正在开会，一方面打扰别人开会，二方面：会影响干事会员不能集中学习。三方面：别人正在办公室开会，我们正在这个时候急需一个安静的地方作实验室，这样双方都会受到诸多的影响。

3，又乱又吵闹又窄的办公室不能为干事会员营造一个安静舒适思考学习环境。我协会大部分会员都来自计算机系、电子系、通信系，他们都是为了学习电子专业技术基础才加入协会，也有一份大二同学都加入协会，但这种环境不利于他们干事会员学习。

4，宿舍8栋2楼的活动室安静，宽敞正适合干事会员学习思考分析电路，便于我们搞电子小创作和电器维修，同时便于技术交流、讨论。

5，我亲自去查看了宿舍8栋2楼活动室是一间空房，有电源插座、电风扇、室内宽敞、环境比较安静，适合做实验室最佳场地。

申请实验室的目的：

1，为干事会员提供一个安静思考交流的学环境。

2，讲解了理论知识后及时动手操作，可大大加深对理论知识的理解，这样效果更佳。

3，干事会员在创作的.漂亮的工艺作品及参加比赛的作品所有放在实验室作展览，也方便其他人来参观和下一届会员参观，以增强协会的名誉和对外展示协会的实力。给会员提供更优惠学习服务，增大会员对协会的满意度，提高协会在学校的声誉。

4，把实验室作为一个电器维修的地方，为协会提供经济来源，把是实验室打造成一个课外实验室基地，为更多的同学提供做实验最佳的机会。基于上述原因，也为了顺利达成目的，所以特向院领导申请宿舍8栋2楼活动室作为电子科技协会的实验室。望领导考虑一下我协会的申请。我们电子科技协会一定不负厚望，以更优异的成绩回报学校。

申请协会：电子科技协会

申请人：电子科技协会副会长胡文静

20xx。11。15

实验室用房申请书三：

尊敬的院领导、老师：

您们好!

三年的大学生活慢慢的过去了，回荡在我们胸中的母校情怀也越酿越浓，强烈的责任感驱使我们能够在大学的最后的一年，为母校留下一份有意义的礼物。

回想起我们这个团队的大学生活，“嵌入式”无疑是我们团队的一切。

“嵌入式”这一名词可谓无人不知，无人不晓。它使得人们的生活变得更简单、更方便。可以说嵌入式智能芯片是构成未来世界的“数字基因”。许多同学的对嵌入式一行非常感兴趣，非常想从事嵌入式一行的学习和研究工作。但却很难坚持对嵌入式的学习，更不用说实际动手能力了。纠其原因，有以下两点：

第一，缺少一个交流的平台，没有一个很好的学习氛围。嵌入式的入门难，学习的时候会遇到很多的问题，而我们身边很少人懂得嵌入式，以至于同学们在学习过程中，遇到困难却没有人帮他们及时的解决。个人的信息来源也是相当的有限的，这样一来使他们的信心和兴趣大大降低。

第二，没有一个方便可行的实验平台。嵌入式一行的学习对实际的动手能力的锻炼相当重要，很多同学想动手操作，但苦于身边没有能够随时使用的工具和仪器，甚至不知道到哪里去买这些设备。以至于他们的理论知识缺少实践的指导，很难再深入的学习下去。

同样作为学生的我们，对此有深切的体会。所不同的是我们很幸运的遇到了很多校内外热心的老师和同学，得到过他们许多的帮助。还有互联网上，数不尽的网站为各行各业的初学者提拱免费的各种学习资料。无私的网民甚至开设很多类似于qq的交流平台，亲身传授他们的经验。

为了我们学院能够更加强大，更为了感恩母校对我们的培养，同时感谢帮助过我们的人，把他们的这种无私的精神更好的传承下去，更好的帮助后面同样渴望知识的同学，我们想要建立一个名为“蓝博芯科”的电子实验室。

目前我们团队已经拥有各类电子元器件、电路板制作的全套设备、单片机开发板、8051实验箱、arm开发板、各类电路测量仪器等等，其中制板效果甚至是我们学校里最好的。并且，我们的团队与校机器人队有密切的合作关系，能够实现仪器的互补。三年的“嵌入式”学习，已使们对“嵌入式”有了比较深刻的了解，完全具备引导初学者入门嵌入式的知识和技术。可以说这里是初学者暨学校之后的又一学习知识和培养动手能力的非常理想的场所。可是我们的团队正苦于没有一个很好的空间环境，希望学院能够批予我们一个实验室。

如果学院领导能够批给我们一个只需要有十几张简单的桌椅的实验室，让“蓝博芯科电子实验室”能够成功的创建起来，我们一定会更加努力的学习更多、更广的知识，团结一致，共同建设好这个来之不易的实验室。我们有十足的信心把这个实验室变得强大起来，并且相信，在学院和我们实验室的共同努力下，从这个实验室走出去的人必将是学院最优秀的同学之一。

申请人：聂冰辛旭伟王振

申请人所在班级：测仪062班

时间：20xx年9月1日